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硅稳压二极管应在反向击穿区工作()
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硅稳压二极管应在反向击穿区工作()
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硅稳压二极管应在反向击穿区工作()
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稳压二极管与普通二极管的区别包括()、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态
中国大学MOOC: 稳压二极管工作在反向击穿区,但属于电击穿。
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