材料
透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。
关于该平板探测器的叙述错误的是
A. 属于直接转换
B. 属于间接转换
C. 成像效果好于IP
D. 数据转换不经过可见光
E. 需要高压电场
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关于该平板探测器的叙述错误的是
A.属于直接转换 B.属于间接转换 C.成像效果好于IP D.数据转换不经过可见光 E.需要高压电场
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关于平板探测器的叙述，错误的是（）。
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏／片系统低 C.其MTF D.其DQE比屏／片系统高 E.DQE比CR系统高
答案
关于平板探测器的叙述，错误的是
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏／片系统低 C.其MTF比屏／片系统低 D.其DQE比屏／片系统高 E.DQE比CR系统高
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关于平板探测器的叙述，错误的是
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF比屏/片系统低 D.其DQE比屏/片系统高 E.DQE比CR系统高
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关于平板探测器的叙述，错误的是
A.分为直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF比屏/片系统低 D.其DQE比屏/片系统高 E.其DQE比CR系统高
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关于平板探测器的叙述，错误的是
A.分为直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其DQE比CR系统高 D.其DQE比屏/片系统高
答案
关于平板探测器的叙述，错误的是
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏／片系统低 C.其MTF、比屏／片系统低 D.其DQE比屏／片系统高
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