焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。

成熟焦饼的中心温度应为（）左右。 成熟焦饼的中心温度应为（）左右 焦饼中心温度一般规定为1000±50℃（） 焦饼中心温度一般控制在1100±50℃（） 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。 规程中规定焦饼中心温度在℃下温差不超过100℃为焦饼成熟（） 在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？ （）温度确定的依据是焦饼中心温度。 焦饼中心的温度为℃（） 规定的焦饼中心温度（）。 规定的焦饼中心温度（） 规定的焦饼中心温度（） 测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标？（） 焦饼中心温度的测量一次（） 推焦前小时测量的温度为焦饼中心温度（） 焦饼中心温度测量的周期为（） 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。 代表全炉的平均温度是焦饼中心温度（） 测量焦饼中心温度主要是了解在一定的结焦时间及配煤比一定的情况下，于推焦之前焦炭的最终温度和焦饼成熟情况。其测量结果上下、机焦侧应有一定的温度差值。－（） 在装煤孔插入焦饼中心温度管（）