晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）

三极管的反向饱和电流Icbo，是指发射极e开路时，（）极之间的反向电流。 晶体管的穿透电流（），则其热稳定性能越好。 二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（） 二极管的反向饱和电流在20℃时是5A，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（） 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（）。 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（） 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（） 晶体管的穿透电流是衡量晶体管热稳定性的一个重要参数，其值越大越好。 穿透电流Iceo是晶体三极管的主要参数之一，其定义为：基极短路时，集电极和发射极之间的反向电流（） 二极管的反向饱和电流在室温20度时是5 μA，温度每升高10度，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30度时，反向饱和电流值为（） 晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而()。 同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流（） 已知一个晶体管的ICEO＝200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO约等于（ ） 已知一个晶体管的ICEO为200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO约等于（） 晶体管的穿透电流是衡量其热稳定性的一个重要参数，越大越好。 测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，反向电流（）。 电晶体管集—基极反向截止电流ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。() 三极管的穿透电流ICEO是表明该管温度稳定性好坏的参数。 三极管的穿透电流ICEO是表明该管温度稳定性好坏的参数（） 反向饱和电流，又称反漏电流