在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（）。

晶体管共集电极电路有哪些基本特点（） 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。() 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（） 晶体管接成共集电极电路时电压增益最小。 晶体管放大电路由（）电极连接方式组成 集电极电流在0.1A以下的晶体管称为（）。 集电极电流在0.5~1A的晶体管称为（） 在晶体管的共集电极放大电路中电压的放大倍数与负载电阻的关系是（） 普通放大电路中集电极电阻Rc乘以放大倍数β大于基极电阻Rb数值，这时晶体管处于（） 普通放大电路中集电极电阻Rc乘放大倍数β大于基极电阻Rb数值，这时晶体管处于（） 当晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 电路如图所示，晶体管β=50，，当时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电极电流应等于3mA，此时应把调整为（）kΩ 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流与基极电流的比值称为共发射极放大系数 普通放大电路中集电极电阻R。乘以放大倍数夕大于基极电阻风数值，这时晶体管处于（） 在晶体管放大电路中，发射结加的是反向电压，集电极加的是正向电压。 在晶体管放大电路中，发射结加的是反向电压，集电极加的是正向电压（） 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流，则该管（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（） 普通晶体管是用基极电流IB的大小来控制集电极电流，而光电晶体管是用入射光照度E1的强弱来控制集电极电流的（）