普通晶闸管管心由()层杂质半导体组成。

晶闸管内部是由PNPN四层半导体构成（） 晶闸管结构由四层半导体组成，引出三个电极，即阳极A、阴极K和（） 晶闸管内部是由PNP三层半导体构成（） 晶闸管是四层半导体结构（） 普通晶闸管管心具有（）PN结。 双向晶闸管是四层半导体结构（） 双向晶闸管是四层半导体结构。 单向晶闸管（可控硅）由（）个半导体层构成，共有（）个PN结。 普通晶闸管管心具有3个PN结（） 晶闸管由一个四层半导体构成，中间形成3个PN结（） 因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为半导体和 半导体两大类 晶闸管有三个极，即阳极阴极K、控制极G,，由四层半导体（PNPN）三个PN结组成（） 半导体可分为本征半导体和杂质半导体（） 三极管由两层半导体组成。 因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类（） 掺杂半导体是掺入杂质的半导体（） 杂质半导体分为两种: 型半导体和 型半导体 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。 不含杂质的半导体称为P型半导体 杂质半导体包括：（）