产生抑制性突触后电位的主要离子流是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是 可产生抑制性突触后电位的离子基础是 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（） 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位 产生抑制性突触后电位（PSP）的主要机制是（） 产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是 膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （　　） 膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（）。   抑制性突触后电位的产生，主要是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性 与形成抑制性突触后电位有关的离子是 抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（） 抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（） 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?() 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？() 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致(   ) 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是( )。