抑制性突触后电位
A. 由突触前末梢递质释放减少而产生
B. 使突触后膜电位远离阈电位水平
D. 由突触后膜Na*电导增加而产生
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抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
抑制性突触后电位（ ）
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜通透性增加所致
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抑制性突触后电位
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na D.是一种去极化抑制的突触后电位
答案
抑制性突触后电位（）
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na+电导增加而产生 D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生 E.是一种去极化抑制的突触后电位
答案
抑制性突触后电位（ ）。
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na＋电导增加而产生 D.由突触后膜Ca2＋电导增加而产生
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抑制性突触后电位
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抑制性突触后电位
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抑制性突触后电位
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 D.由突触后膜Na*电导增加而产生
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抑制性突触后电位
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抑制性突触后电位
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na+电导增加而产生 D.是一种去极化抑制的突触后电位
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