关于电子束的等剂量分布，描述正确的一项是（）
A. 随深度增加，低值等剂量线向外侧扩张
B. 随深度增加，高值等剂量线向外侧扩张
C. 随深度减小，低值等剂量线向外侧扩张
D. 随深度减小，高值等剂量线向外侧扩张
E. 等剂量线不随电子束能量而变化
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关于电子束的等剂量分布，描述正确的一项是（）
A.随深度增加，低值等剂量线向外侧扩张 B.随深度增加，高值等剂量线向外侧扩张 C.随深度减小，低值等剂量线向外侧扩张 D.随深度减小，高值等剂量线向外侧扩张 E.等剂量线不随电子束能量而变化
答案
用以描述电子束的剂量分布的特定平面的参数是
A.R85/2 B.U90/50 C.L90/L50 D.P80/20 E.U80/20
答案
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确？（）
A.从表面到一定深度，剂量分布均匀 B.能量高表面剂量低，能量低表面剂量高 C.在一定深度之后，剂量下降快 D.随能量增加，下降梯度变小 E.剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
答案
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）
A.大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区 B.大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
A.随射线能量增加，表面剂量减少 B.随射线能量减小，X射线污染减少 C.随射线能量增加，高剂量坪区变宽 D.随射线能量减小，剂量梯度增大
答案
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确？
A.随射线能量增加，表面剂量减少 B.随射线能量增加，剂量建成更迅速 C.随射线能量减小，高剂量坪区变宽 D.随射线能量减小，剂量梯度增大 E.随射线能量减小，X射线污染减少
答案
下列关于电子束CT（EBCT）的工作原理的描述，哪一项是错误的：（）
A.采用机械旋转的取样方式 B.由电子枪发射电子束 C.偏转线圈控制电子束旋转 D.轰击4个平行钨靶产生X线 E.并排2组探测器收集数据
答案
关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.剂量跌落区 E.X射线污染区
答案
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确（）
A.表面剂量随能量的增加而增加 B.从表面到DmAx为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加 C.从DmAx得到D80(D85)为治疗区，剂量梯度变化较小 D.D80(D85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯 E.度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
答案
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确？（）
A.表面剂量随能量的增加而增加 B.从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加 C.从dmax得到d80（d85）为治疗区，剂量梯度变化较小 D.D80（d85）以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯 E.度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
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描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
电子束剂量分布中X射线成分来源于（）
描述照射野对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是（）。
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
下列对高能电子束描述正确的是（）。
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电子束和X（γ）线在皮肤表面共线相交，会使得X（γ）线照射野一侧出现剂量_______，电子束一侧出现剂量
关于电子束CT的描述，哪项是错误的
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电子束表面剂量随能量增加而
关于高能电子束临床特点的描述错误的是（）。
关于高能电子束临床特点的描述错误的是
下列关于电子束焊说法正确的是（）
下列关于电子束CT表述，正确的是（）
电子束会在铅挡和组织接触的界面处产生电子束的（），使界面处的剂量增加。
磁场对电子束的影响描述正确的有（）
有关全身电子束治疗的描述，不正确的是（）
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