主观题

对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

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主观题
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
答案
判断题
中国大学MOOC: CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。
答案
主观题
中国大学MOOC: CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。
答案
主观题
中国大学MOOC: 下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的()。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低
答案
判断题
中国大学MOOC: 相对于CVD而言,PVD工艺温度低,工艺原理简单,但所制备薄膜的台阶覆盖性、附着性和致密性不如CVD。
答案
单选题
下面哪些说法是正确的()⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低
A.⑴⑵ B.⑵⑷ C.⑴⑵⑷ D.⑴⑵⑶⑷
答案
主观题
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
答案
主观题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
答案
主观题
计算某种昆虫的理论发育速率(已知温度20℃,有效积温45.3日度,发育起点13.1℃)。
答案
主观题
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?
答案
热门试题
石油体积温度系数(f)? 物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。 液体的体积温度系数值() 中国采用积温来划分温度带() 在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。 ()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。 在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。 温度对昆虫生命活动有什么影响?积温和有效积温有什么区别?有效积温法则在科研和生产上有什么应用价值? 有许多种薄膜技术能够在基材表面覆盖薄膜材料层,其中最重要的两种方法是:物理气相沉积PVD和化学气相沉积CVD() 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用() 密封储藏塑料薄膜外结露原因是:薄膜内温度低,薄膜外温度高,薄膜外空气达到露点时,将在薄膜外产生结露。 有效积温法则说明了昆虫的()与温度的关系。 试述油品的标准体积和燃油的体积温度系数 密封储藏塑料薄膜外结露原因是:薄膜内温度高,薄膜外温度低,空气达到露点时,将在薄膜外产生结露。 常见的积温有活动积温、有效积温和()   电磁波在自由空间的传输损耗公式如下:L=(),对于900GHz,则L≈()。 丙烯酸树脂类聚合物国内研制的_____系胃溶型薄膜衣材料;而______系肠溶型薄膜衣材料。 微波传输过程中,微波对()微波传输质量有重大影响 对于标准条件养护法试件试验龄期分别为56d的同条件养护法试件的逐日累积温度分别为() 某地4月1日至7日的平均温度为5.7℃、4.8℃、5.5℃、6.3℃、4.9℃、7.5℃、4.2℃,求某林木种子发芽(其发芽要求的生物学下限温度为5.0℃)的活动温度、有效温度、活动积温和有效积温。
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