高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双极性晶体管（IGBT）适用的频率更高（）

GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（） 功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，在电路中，栅、源极间常并联以防止电压过高（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT是的复合管（） IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管。 绝缘栅双级晶体管属于控制元件（） IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管（） 绝缘栅双极型晶体管具有的优点（） 绝缘栅双极型晶体管简称为（） 绝缘栅双极型晶体管具有（）的优点 绝缘栅双极晶体管电路（） 绝缘栅双极晶体管简称__ 绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（） 绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。 绝缘栅双级型晶体管的驱动方式是（） 要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。 绝缘栅双极晶体管特点有（） 栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管。() 绝缘栅双极型晶体管属于电流控制器件。 门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。