功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，在电路中，栅、源极间常并联以防止电压过高（）
A. 整流二极管
B. 齐纳二极管
C. 变容二极管
D. 发光二极管
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电力场效应晶体管栅极绝缘，栅极无电流，所以栅极驱动功率为零。
答案
功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，一般在不用时将其三个电极（）
A.开路 B.接地 C.短接 D.接电源
答案
功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，在电路中，栅、源极间常并联以防止电压过高（）
A.整流二极管 B.齐纳二极管 C.变容二极管 D.发光二极管
答案
功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
答案
绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道增强型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
答案
场效应晶体管可用于（）。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
答案
场效应晶体管与晶体管有何不同？
答案
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
答案
绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
A.稍高于 B.低于 C.等于 D.远高于
答案
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
A.P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
答案
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功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。
场效应晶体管的控制方式是()。
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（）
绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（）
结型场效应晶体管可分为（）。
电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。
晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
的本质是一个场效应晶体管（）
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
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功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）
场效应晶体管是由控制漏极电流的
场效应晶体管是用（）控制漏极电流的
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