二极（硅）管的死区电压为（）

普通硅二极管的死区电压为()。   硅半导体二极管的死区电压约为（）。 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 单40、硅二极管的死区电压为（） 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V 小电流硅二极管的死区电压约为0.5V，正想压约为（） 二极（锗）管的死区电压为（）。 二极（锗）管的死区电压为（） 加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。