非晶硅平板探测器基本结构为
A. 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
B. 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
C. 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路
D. 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
E. 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
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非晶硅平板探测器基本结构为
A.非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路 B.硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路 C.碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路 D.碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路 E.碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
答案
非晶硅平板探测器的结构不包括
A.X线转换介质 B.探测器单元阵列 C.高速信号处理 D.数字影像传输 E.荧光体层
答案
非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于
A.信号读出 B.荧光材料层和探测元阵列层的不同 C.A/D转换 D.信号输出 E.信号放大
答案
CMOS平板探测器和非晶硅平板探测器相比，有哪些优点（）
A.X射线转换效率高 B.信噪比高 C.数据读出速度快 D.成本低
答案
非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是（）
A.信号输出方式不同 B.图像重建方法不同 C.图像矩阵大小不同 D.光电转换过程不同 E.模/数转换过程不同
答案
非晶硒平板探测器的基本结构不包括（）
A.顶层电极 B.闪烁晶体层 C.非晶硒层, 集电矩阵（场效应管矩阵） D.信号放大器，图像数据读出电路 E.A/D转换器，数据输出接口
答案
对于非晶硅型平板探测器说法正确的是
A.该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B.同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C.与非晶硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D.它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E.以上说法都正确
答案
对于非晶硅型平板探测器说法正确的是（）.
A.该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B.同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C.与非晶态硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D.它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E.以上说法都正确
答案
关于非晶硅型平板探测器，说法正确的是
A.入射窗——铝和钛金属制成 B.输出屏——碘化铯晶体膜 C.光电极——将荧光层的光信号转换成电子像 D.输出屏——形成可见光 E.．集束电极——将光电子加速、聚集
答案
关于非晶硅型平板探测器，说法正确的是
A.该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B.同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C.与非晶硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D.它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E.以上说法都正确
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对于非晶硅型平板探测器说法正确的是
从图像信号形成过程看，非晶硅与非晶硒平板探测器比较（）
关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是（）
非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是（）
非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是
关于非晶硅型平板探测器，下列说法正确的是
非晶硅平板探测器数字影像传输主要是将
关于非晶硅平板探测器及其工作原理，正确的是
关于非晶硅平板探测器的叙述，不正确的是
关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述，正确的是
关于非晶硅平板探测器分辨力的叙述，不正确的是
下列非晶硒平板探测器的结构中，错误的是（）
非晶硅平板探测器中，为减少光散射，碘化铯晶体形状加工成（）
非晶硅平板探测器中，将X线转换成光信号的材料是
非晶态硅型平板探测器面积为（）
非晶硒平板探测器中，构成探测元的是（）
非晶硒平板探测器储存信息的元件是
非晶硒平板探测器储存信息的元件是（）
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关于非晶硅影像探测器的描述，正确的是
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