晶闸管是由三个PN结三层半导体组成（）

晶闸管是一种（）个PN结的四层半导体元件 晶闸管结构由四层半导体组成，引出三个电极，即阳极A、阴极K和（） 可控硅是具有三个PN结的三端半导体元件（） 晶体管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为()。 晶体三极管具有三个电极三个PN结的半导体元件。 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。 三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（） 晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。 晶闸管是由一个P-N-P-N四层（4layers）半导体构成的，中间形成了个PN结（） 晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是（）。 晶闸管有三个PN结而二级管只有一个PN结（） GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件，所以可分为PNP型和NPN型两种形式（） 普通晶闸管的管芯由层杂质半导体组成（） 普通晶闸管管芯由（）层杂质半导体组成。 普通晶闸管管心由()层杂质半导体组成。 晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是阳极、极、门极 普通晶闸管的结构内部是由层杂质半导体组成（） 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成部分（） 普通晶闸管管心由层杂质半导体组成。[难]（）