晶闸管内部是由PNP三层半导体构成（）

晶闸管由一个四层半导体构成，中间形成3个PN结（） 普通晶闸管的管芯由层杂质半导体组成（） 普通晶闸管管心由()层杂质半导体组成。 普通晶闸管管芯由（）层杂质半导体组成。 晶闸管是四层半导体结构（） 普通晶闸管管心由层杂质半导体组成。[难]（） 三极管是由三层半导体材料组成的。由三个区域，中间一层为（） 可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和（） 可控硅的内部是由PNPN层不同导电类型的半导体构成的（） 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。 晶闸管结构由四层半导体组成，引出三个电极，即阳极A、阴极K和（） 三极管是由两个PN结的三层半导体制成的。（） 三极管是由两个PN结的三层半导体制成的（） 晶体管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。 双向晶闸管是四层半导体结构（） 双向晶闸管是四层半导体结构。 晶闸管的管芯是四层（）半导体板三端（A、K、G）器件，它决定晶闸管的性能 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为()。 a-Si太阳能电池是由形成（）和负极的二个导电层、作为活性部分的半导体层这三层基本结构构成的 晶闸管是由一个P-N-P-N四层（4layers）半导体构成的，中间形成了个PN结（）