当温度T升高时，三极管的Icbo将增大.（）

三极管β值随着温度升高，β值（） 三极管的温度升高，其电流放大倍数一定增大。（ ） 三极管的β随频率的升高而增大。(     )   三极管使用中，当IC＞ICM时，三极管必然损坏（） 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大。 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大（） 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大（） 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic ，发射结压降 。_ 当三极管的基极电流为零时，三极管处于（ ）状态。 当三极管的集电极电流 IC 超过 ICM 时，三极管会（ ）。 三极管的ICEO随着温度升高而迅速增加（） 温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将左移，输出特性曲线将（），而且输出特性曲线之间的间隔将增大。 当三极管的集电极耗散功率 PC 超过 PCM 时，三极管会（ ）。 当温度上升时，半导体三极管的ICEO（ ）。 对于 NPN 型三极管，当基极电流增大时，集电极电流（ ）。 当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于 三极管作开关应用时，当开关断开时，则该三极管处于（） 三极管的反向饱和电流Icbo，是指发射极e开路时，（）极之间的反向电流。 三极管按PN结的组合方式可分为: NPN型三极管|PNP型三极管|硅三极管|锗三极管 当三极管的集电极 - 发射极电压 UCE 超过 U (BR) CEO 时，三极管会（ ）。