单选题

关于高炉内Si的还原叙述错误的是()

A. Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行
B. 提高炉温有利于Si的还原
C. 提高炉渣碱度有利于Si的还原
D. 高压操作利于冶炼低硅生铁

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单选题
关于高炉内Si的还原叙述错误的是()
A.Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行 B.提高炉温有利于Si的还原 C.提高炉渣碱度有利于Si的还原 D.高压操作利于冶炼低硅生铁
答案
单选题
关于高炉内Si的还原叙述正错误的是()
A.Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行 B.提高炉温有利于Si的还原 C.提高炉渣碱度有利于Si的还原 D.高压操作利于冶炼低硅生铁
答案
单选题
Si在高炉的哪个区域被大量还原()
A.风口水平 B.软熔带 C.滴落带 D.渣铁沉聚带
答案
主观题
硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→()→Si逐级进行的。
答案
主观题
硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→()→Si逐级进行的
答案
判断题
从Si的还原机理来看,高炉风口水平面以上是降Si过程。
答案
多选题
关于高炉内碳酸盐分解的规律,叙述错误的是()
A.碳酸盐的分解压随温度的升高而增大 B.碳酸盐的分解压越大,碳酸盐的稳定性越好 C.当碳酸盐的分解压超过炉内煤气总压时,开始分解 D.当碳酸盐的分解压超过炉内煤气的CO2分压压力时激烈分解即化学沸腾
答案
主观题
高炉内的直接还原度与高炉内铁的直接还原度有何区别?
答案
单选题
高炉内MnO的还原必须是()。
A.直接 B.间接 C.直接+间接
答案
单选题
关于线粒体外还原当量的穿梭叙述错误的是关于线粒体外还原当量的穿梭叙述错误的是()
A.经α-磷酸甘油穿梭机制进入线粒体的氢原子氧化时生成2个ATP B.经苹果酸穿梭机制进人线粒体的氢原子氧化时可生成3个ATP C.NADH不能自由通过线粒体膜 D.甘油磷酸穿梭线粒体膜要消耗一个ATP E.胞液中NADPH的还原当量不能通过穿梭机制进入线粒体
答案
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