晶体管的集电区和发射区的导电类型相同，所以集电区和发射区颠倒使用，放大能力不变（）

晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用（） 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用（） 晶体三极管有基区.发射区和集电区等三个导电区；有基极.发射极和集电极等三个电极；有放大.截止和饱和三种工作状态（） 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。 三极管有三个PN结和三个区——发射区、集电区、基区（） 三极管有三个PN结和三个区——发射区、集电区、基区（） 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换（） 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用（） NPN型三极管的集电区和发射区都是N型半导体，因此可以将三极管的C、E两个电极交换使用（） 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。 半导体晶体管有三个区，即发射区、基区（）。 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流（） 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。 晶体管按导电类型可分（）。 双极型晶体管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 晶体管按导电类型可分为（）。