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多数载流子由于浓度差而引起的运动,称扩散运动()
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多数载流子由于浓度差而引起的运动,称扩散运动()
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判断题
多数载流子由于浓度差而引起的运动,称扩散运动()
答案
判断题
在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。
答案
单选题
在错P结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区()
A.正确 B.错误
答案
单选题
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A.漂移 B.定向 C.发散 D.扩散
答案
主观题
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的: 多数载流子浓度减小;多数载流子浓度降低|多数载流子浓度增大;多数载流子浓度增加|少数载流子浓度减小;少数载流子浓度降低|少数载流子浓度增大;少数载流子浓度增加
答案
判断题
在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区A.正确B.错误()
答案
判断题
少数载流子在电场力作用下的运动,称漂移运动()
答案
判断题
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答案
多选题
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答案
判断题
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答案
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分子扩散是由于系统内某组分存在浓度差而引起的分子的微观随机运动()
二极管的正向电流是由()载流子的扩散运动形成的;反向电流是由少数载流子的()运动形成的。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
N型半导体中的多数载流子是 ,而P型半导体中的多数载流子是
P型半导体中,自由电子为多数载流子,而N型半导体中,空穴为多数载流子()
在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关
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半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()
N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()
在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。
在N型半导体中()是多数载流子,()是少数载流子。
在N型半导体中()是多数载流子,()是少数载流子
在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度()
P型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子()
N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子()
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