IGBT的反向耐压较低，目前，IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。

二极管的反向电压过大会使二极管（）。 二极管加反向电压时，二极管处于截止状态，此时没有电流通过二极管（） 二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（） 二极管的反向电流很大，说明该二极管的特性（）。 二极管所能承受的最大反向电压称为二极管的（）。 二极管所能承受的最大反向电压称为二极管的（） 三相逆变电路由6个带有功反馈的二极管的IGBT组成（） 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态 二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（小）（） 如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（）。 如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 晶体二极管的最大反向电流越大，表示二极管的（）。 如果二极管的正反向电阻都为零，则该二极管（） 如果二极管的正、反向电阻都很小，则该二极管（） 二极管的测试，正、反向电阻相差不大说明，二极管是（） 二极管的测试，正、反向电阻相差越大说明，二极管是（） 在二极管两端加反向电压时，反向电阻（），二极管基本处于（）状态。