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绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
单选题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A. 集电极
B. 栅极
C. 发射极
D. 门极
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单选题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A.集电极 B.栅极 C.发射极 D.门极
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答案
单选题
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答案
单选题
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答案
主观题
绝缘栅双极晶体管简称__
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和()的优点集于一身。
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答案
单选题
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A.GTO B.MOSFET C.IPM D.GBT
答案
热门试题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似,区别在于()。
绝缘栅双极晶体管特点有()
绝缘栅双极晶体管具有()的优点。
绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件,它是由复合而成的()
要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
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根据绝缘栅双极晶体管(IGBT)的转移特性,当栅极电压UGE大于开启电压UGE(th)时,IGBT处于状态()
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
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下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称()
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IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管()
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管。
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是()
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IGBT即绝缘栅双极晶体管,是全控型器件(通过控制信号可以控制其导通,又能控制其关断)()
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绝缘栅双极晶体管必须有专门的强迫换流电路()
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()
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