绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。
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IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。
A.高输入阻抗 B.高速特性 C.大电流密度 D.所需驱动功率小 E.驱动电路简单
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绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
A.集电极 B.栅极 C.发射极 D.门极
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IGBT即绝缘栅双极晶体管，是端器件（）
A.一 B.二 C.三 D.四
答案
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（）
A.功率 B.电压 C.电流 D.频率
答案
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。
A.发射极，基极，集电极 B.发射极，栅极，集电极 C.源极，栅极，漏极 D.阴极，门极，阳极
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根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（）
A.导通 B.截止 C.放大 D.击穿
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绝缘栅双极晶体管简称__
答案
绝缘栅双极晶体管电路（）
A.不必有专门的强迫换流 B.可以有专门的强迫换流 C.必须有专门的强迫换流 D.可以有专门的强迫换流
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绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。
A.GTO B.GTR C.二极管 D.GBT
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绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。
绝缘栅双极晶体管特点有（）
关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是（）
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。
要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件，它是由复合而成的（）
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（）
GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（）
绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。
80年代出现了绝缘栅双极晶体管IGBT，它是一种电压控制的全控型开关元器件（）
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态（）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
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