关于PN规划，以下正确的说法是：（）
A. PN_INC一般取3或4，且全业务区统一
B. 只要保证间隔一个站以上，PN就可以复用；
C. 导频混淆只影响到涉及PN相同的这两个小区；
D. 天线朝向等因素都有关系；
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关于PN规划，以下正确的说法是：（）
A.PN_INC一般取3或4，且全业务区统一 B.只要保证间隔一个站以上，PN就可以复用； C.导频混淆只影响到涉及PN相同的这两个小区； D.天线朝向等因素都有关系；
答案
下面关于PN规划，正确的是（）
A.PN用于区分扇区而不是基站； B.PN资源是在短码基础上得到的； C.PN规划需要考虑同PN混淆引起的网络问题； D.相邻扇区PN可以随意设置，不会产生问题；
答案
以下关于PN结电容说法正确的是（）
A.正向偏压增大时，势垒电容减小 B.正向偏压增大时，扩散电容减小 C.反向电压的值增大时，垫垒电容减小 D.势垒电容是一种固定电容
答案
关于输注PN，以下正确的说法有（）
A.宜现配现用 B.应在24小时内输注完毕 C.输注前应检查有无悬浮物或沉淀 D.应使用单独的输液器匀速输注 E.可在PN中添加所需药物
答案
在扰码规划中关于adjacent-PN干扰说法不正确的是（）
A.保证存在互相关值为1的扰码间有足够大的PN偏移量，但是扰码长度有限无法实现 B.保证存在互相关值为1的扰码间有足够大的复用距离，使得本小区的S/I足够好 C.adjacent-PN干扰是由于码字间的互相关性较差带来的小区间的干扰 D.adjacent-PN干扰是指相同码字复用时产生的干扰
答案
关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有（）
A.一般希望PN结的击穿电压尽可能的小一些 B.雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压大一些 C.温度的增加会使隧道击穿电压增大 D.结深越大，雪崩击穿电压越小
答案
关于PN结下列说法正确的是：（）。
A.PN结是P型，N型半导体混合制成的 B.PN结是P型，N型半导体相接触形成的 C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的 D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
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关于PN结下列说法正确的是（ ）。
答案
关于PN结正偏说法正确的是
答案
关于PN结说法不正确的是（）
A.平衡PN结中P型半导体一侧的空间电荷区中是由受主杂质离子构成 B.正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主 C.一般说来，PN结的击穿电压越大越好，开关时间越短越好 D.PN结始终具有整流特性
答案
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