当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应（A不够灵敏）（）

在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏（） 正少各丢一小点，合二为一把字猜 泄漏电流测试不能发现未贯通的集中性缺陷及绝缘整体老化（） 能反映一组数据的分布中，大量数据向某一点集中的情况，用来描述数据分布集中趋势的统计量叫做（）。 用介损反映变压器绝缘的整体状况，比绝缘电阻有效（） 测试套管的绝缘电阻有可能发现其绝缘整体受潮、脏污、贯穿性缺陷，以及绝缘击穿和严重过热老化等缺陷（） 进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少（） 对于电容量较大的试品 （例如套管、互感器等），测量 tanδ能有效地发现 局部集中性缺陷和整体分布性缺陷 。但对电容量较小的试品 （例如大中型发 电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量 tanδ只能发现整体分布性 缺陷（） 对于电容量较大的试品 （例如套管、互感器等），测量 tanδ能有效地发现 局部集中性缺陷和整体分布性缺陷 。但对电容量较小的试品 （例如大中型发 电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量 tanδ只能发现整体分布性 缺陷 。 根据测得设备绝缘电阻的大小，可以初步判断一设备绝缘是否有贯穿性缺陷、整体受潮、贯穿性受潮或脏污（） 一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。 一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏（） 预防性试验时绝缘被击穿，形成间隙性放电，当所加电压达到某一定值时，发生击穿，当电压降到某一值时，绝缘恢复而不发生击穿（） 当标准电容器有很大的介损时，实测试品（绝缘）介损一定为负值（） 恢复曲线上的点子分布的关井，第一小时内不少于5个点，1～10h内不少于10个点（） 旋涡虽然在水底只有一小点，但越往底下吸力越大，越往上层旋涡越大，旋力越弱（） tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。 tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。() tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷（） 所谓线缺陷，就是在晶体的某一平面上，沿着某一方向伸展的线状分布的缺陷。（）就是一种典型的线缺陷。