突触后膜在某种递质作用下发生的局部去极化电位变化称为（）。

突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜局部的变化为 兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（）。 兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（） 兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为 兴奋性突触后电位在突触后膜上发生的电位变化为 在突触传递过程中，突触前膜去极化可促使： 兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化为（） 兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化，被称作 在EPSP，突触后膜上发生的电位变化为 神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na 的通透性提高，将引起后膜的电位变化是（） 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（） 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 当突触末梢释放的递质与突触后膜结合后，抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位。 当突触末梢释放的递质与突触后膜结合后，抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位。 当突触末梢释放的递质与突触后膜结合后，抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位（） 抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（） 兴奋性突触后电位的变化是突触后膜呈现__。 IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使突触后膜的