某DRAM芯片内部的存储单元为128×128结构，该芯片每隔2ms至少刷新一次，且刷新是通过顺序对所有128行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns。求进行刷新操作的时间所占的百分比。×

某DRAM芯片，其存储容量为2K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（） 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为()。 某容量为256MB的存储器，由若干个4m×8位的dRAM芯片构成，该DRam芯片的地址引脚和数据引脚总数（） 某存储单元的段地址是0AB90H，偏移地址是1234H，该存储单元的物理地址是（）。 把存储单元A的内容传送到存储单元B的指令执行后，存储单元A的内容()。 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线的数目是（ ）。 从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM。 从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM 某存储单元的段基址是1000H，段内偏移量是2000H，该存储单元的物理地址是（） 存储单元的特点是，只有往存储单元送新数据时，该存储单元的内容用新值代替旧值，否则永远保持原有数据（） 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（） 每个存储单元在整个存储中的位置都有一个编号，这个编号称为该存储单元的（）。一个存储器中所有存储单元的总数称为它的（）。 CPU可以直接从内存芯片中获取存储单元的行地址和列地址。 中国大学MOOC: 若某存储器系统中存储单元的首地址为8C000H，末地址为8DFFFH，则该存储器系统的存储单元数为 。 为存储数据,需对计算机存储单元进行编号,存储单元的编号称为存储_____ 对于一片128k×8的存储芯片，需要根地址信号参与选择片内存储单元（） 若内存地址区间为 8000H~87FFH，每个存储单元可存储 16 位二进制数，该内存区域用 4 片存储器芯片构成，则构成该内存所用的存储器芯片的容量是（ ） 顺序存储,存储单元的地址( ) 在计算机系统中，若一个存储单元被访问，这个存储单元可能很快会被访问，该特性称为（ ）。 线性表若采用链表存储结构，要求内存中可用存储单元地址（）