场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（）

中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 根据场效晶体管的工作情况可将输出特性区域分为（） 中国大学MOOC: 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（） 三极管正常工作时，其输入电阻大，而场效晶体管输入电阻小（） P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 硅晶体管的死区电压约为V（） 场效晶体管的栅极通常用字母表示（） 单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时，晶体管（） JT-1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是（）V。 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。（） 测得工作在放大电路中的双极晶体管的三个电极对公共地端电压分别为:3.5V、2.8V、12V,则该晶体管是() 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是（） 用直流电压测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是Ub＝4.7V，Ue＝4V，Uc＝4.3V，则该三极管处于状态（） 单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通。 单结晶体管当发射极与其极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（） 单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（） 场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。