N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）

绝缘栅双极型晶体管具有的优点（） 绝缘栅双极型晶体管具有（）的优点 绝缘栅双极晶体管电路（） 绝缘栅双极晶体管简称__ 结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R。。大的特点（） 结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT是的复合管（） 在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路（） 绝缘栅双级型晶体管的驱动方式是（） 绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。 要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。 绝缘栅双极晶体管特点有（） 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小 绝缘栅双极型晶体管属于电流控制器件。 绝缘栅型场效应晶体管可分为（） 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。 绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（） 绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（） P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（）