关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）
A. 被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B. 探测器有电离室式
C. AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关
D. 探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样
E. 探测器的探测野位置
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关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.半导体 C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E.形状
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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式、半导体、荧光体三种 C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C.AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
答案
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C，AEC的管电压特性与所用屏一片体系的管电压特性有关 C.探测器置于屏一片体系之前还是之后，效果不一样 D.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
答案
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式 C.AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E.探测器的探测野位置
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关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是
A.根据被照体厚薄预先确定曝光量 B.有电离室式探测器 C.AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关 D.有半导体式探测器 E.探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
答案
关于电离室自动曝光控制叙述错误的是
A.利用气体的电离效应 B.X线强度大时，电离电流大 C.X线强度大时，曝光时间短 D.电容充电电流与X线曝光量成反比 E.电离电流小时，需要的曝光时间长
答案
关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是
A.利用气体的电离效应 B.X线强度大时，电离电流大 C.X线强度大时，曝光时间长 D.电容充电电流与X线曝光量成反比 E.电离电流小时，曝光时间长
答案
关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是
A.利用气体的电离效应 B.X线强度大时，电离电流大 C.X线强度大时，曝光时间长 D.电容充电电流与X线曝光量成反比 E.电离电流小时，曝光时间长
答案
关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是
A.、利用气体的电离效应 B.、X线强度大时，电离电流大 C.、X线强度大时，曝光时间长 D.、电容充电电流与X线曝光量成反比 E.、电离电流小时，曝光时间长
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