关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A. 被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B. 探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C，AEC的管电压特性与所用屏一片体系的管电压特性有关
C. 探测器置于屏一片体系之前还是之后，效果不一样
D. 探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.半导体 C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E.形状
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关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式 C.AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E.探测器的探测野位置
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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C，AEC的管电压特性与所用屏一片体系的管电压特性有关 C.探测器置于屏一片体系之前还是之后，效果不一样 D.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式、半导体、荧光体三种 C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A.被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C.AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D.探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是
A.根据被照体厚薄预先确定曝光量 B.有电离室式探测器 C.AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关 D.有半导体式探测器 E.探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
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A.利用气体的电离效应 B.X线强度大时，电离电流大 C.X线强度大时，曝光时间短 D.电容充电电流与X线曝光量成反比 E.电离电流小时，需要的曝光时间长
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A.利用气体的电离效应 B.X线强度大时，电离电流大 C.X线强度大时，曝光时间长 D.电容充电电流与X线曝光量成反比 E.电离电流小时，曝光时间长
答案
关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是
A.、利用气体的电离效应 B.、X线强度大时，电离电流大 C.、X线强度大时，曝光时间长 D.、电容充电电流与X线曝光量成反比 E.、电离电流小时，曝光时间长
答案
关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是
A.利用气体的电离效应 B.X线强度大时，电离电流大 C.X线强度大时，曝光时间长 D.电容充电电流与X线曝光量成反比 E.电离电流小时，曝光时间长
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