中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 离子注入表面改性 中国大学MOOC: 动作电位过程中参与流动的离子主要有 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？ 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。 中国大学MOOC: 锂离子电池的参数设计过程中，正极的厚度计算正确的是（ ） 离子注入后为什么要进行退火？ 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。 中国大学MOOC: 正离子和负离子迁移数之和等于（） 什么叫离子注入，它的特点是什么？ 早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。 例举离子注入设备的5个主要子系统。 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应（） 中国大学MOOC: 结型场效应管初始时存在导电沟道。 中国大学MOOC: 食物热效应是指人体在摄食过程中，对食物中营养素进行消化、吸收、代谢转化等额外消耗的( )。 中国大学MOOC: 掩蔽铁离子可以加入氟化钠。 中国大学MOOC: 血浆中最主要的阴离子是 中国大学MOOC: 不受钙离子调节的连接方式是 中国大学MOOC: 离子交换树脂DEAE-C属于（）