用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？

变压器绕组连同套管一起的直流电阻测量方法有（） 35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。 运行中110KV等级变压器绕组连同套管一起的tgδ值标准上不大于（） 测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的 测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法（） 测量变压器绕组连同套管一起的直流电阻，与同温下产品出厂实测数值比较，相应变化（）。 测量变压器绕组连同套管一起的直流电阻，与同温下产品出厂实测数值比较，相应变化（）。 110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。 变压器绕组连同套管的tgδ能发现变压器严重的局部缺陷（） 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω） 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω） 无干扰情况下测量变压器绕组连同套管的tanδ出现负值可能是标准电容器tanδ大于变压器绕组连同套管的tanδ（） 测量变压器绕组连同套管的绝缘电阻值，换算至20℃时，应大于（）MΩ（） 测量变压器绕组绝缘的tg时，非被试绕组应（） 测量变压器绕组绝缘的tgδ时，非被试绕组应（） 变压器连同套管一起的绝缘电阻测量方法有（） 测量变压器介损的目的是（） 用直流电桥测量变压器绕组的直流电阻的充电过程中，电桥测量变压器绕组值随时间的增加而（）。 用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（） 变压器连同套管一起的直流电阻测量方法有（）