多选题

在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。

A. 使薄膜的介电常数变大
B. 可能引入杂质
C. 可能使薄膜层间短路
D. 使薄膜介电常数变小
E. 可能使薄膜厚度增加

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()不是半导体材料 半导体式气体检测仪是利用一些金属氧化物半导体材料,在,电导率随着环境气体成份的变化而变化的原理制造的。A() 在N型半导体中如果掺入足够量的()元素,可将其改型为P型半导体 利用半导体技术的扩散工艺,将型半导体和型半导体结合在一起,则其交界面便会形成一个PN结() 在半导体中,靠空穴导电的半导体称()型半导体。 在半导体中,靠()导电的半导体称P型半导体。 在半导体中,靠()导电的半导体称P型半导体 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为() 应变计按照半导体式可分为体型和薄膜型 中国大学MOOC: 半导体生产中常用的薄膜类型有()。 一些半导体气敏元件在吸附气体组分后只改变其载流子数目,由此可检测气体组分含量() 在半导体中,靠空穴导电的半导体称N型半导体。 在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为N型半导体。 在 P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为 N 型半导体。 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体() 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体() P型半导体是在半导体中掺入()后,所获得的半导体。 危害半导体工艺的典型金属杂质是()。 半导体存储器从存取方式上分,可分为哪两类,每类又分为哪一些?
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