硅二极管导通状态接触电位差是（）

硅二极管的正极电位是-10V,负极电位是-10.3V,该二极管的工作状态是()   二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 二极管导通状态描述错误的是（） 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。   二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 当P区接高电位，N区接低电位，二极管导通（） 当P区接低电位，N区接高电位，二极管导通（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 二极管导通的条件是___________________________ 发信二极管导通是依靠（） 二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通 二极管加正向电压时，二极管导通，其正向电阻很大（）