硅二极管的导通压降为()。

二极（硅）管的导通压降约为（） 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管的正向导通压降约为 锗二极管导通压降是（）V 绪二极管导通时的管压降约V（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 当温度升高时，二极管导通压降会 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍ 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 硅二极管正向导通，其管压降为()。 硅二极管导道的饱和压降为（） 硅二极管导通和截止的条件是（）。 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（）