晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。

晶体管温度超出其结温则晶体管功能失效（） 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响（） 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（????? ）。 温度升高，晶体管输出特性曲线上移。() 温度升高时，晶体管的电流放大系数β（） 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。() 产生零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度的影响。 直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。 在使用晶体管时要注意温度的影响，温度升高了，UBR(CEO)和PCM都要降低使用。() 温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响，引起参数变化而造成的。( )[322010104] 在温度20℃时某晶体管的，那么温度是60℃时约为（） 只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化。( ) 晶体管—晶体管电路形式指是（4052）（） 电力晶体管属于双极型晶体管（） 电力晶体管属于双极型晶体管。 单结晶体管是特殊晶体管 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（） 晶体管中的“β”参数是（）。