当光照射在PN结时，如果光子能量小于半导体禁带宽度（E0 < Eg）,可激发出电子——空穴对。（ ）

绝大多数的高电阻率半导体，受光照射吸收光子能量后，产生电阻率降低而易于导电的现象称为（） 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（） 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（） P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动 半导体PN结具有单向导电型。（） 半导体二极管有（）PN结。 中国大学MOOC: 根据能带理论，绝缘体有满带和空带，且禁带宽度大；半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄 半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是（）。 P型半导体，N型半导体，PN结都具有单向导电性（） 给半导体PN结加正向电压时,电源的正极应接半导体的____区,电源的负极通过电阻接半导体的___区 （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元 根据半导体材料的禁带宽度可算出相应的本征吸收长波限。如硅材料的禁带宽度为1.12eV，则吸收波长限等（)于，GaAs的禁带宽度为1.43eV，则吸收波长限等于（)。 AF003PN结的特性（1）AF003N型半导体和P型半导体结合在一起所形成的称为PN结（） 当半导体材料受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而材料电导率增大，这种现象称为（） 半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是()。   N型半导体和P型半导体结合在一起形成的称为PN结（） LED灯就是半导体发光二极管，当电流从PN结的阳极流向阴极时发光。 晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。 中国大学MOOC: 半导体PN结的电特性是指：（ ） 电力二极管的基本结构是半导体PN结，P型半导体上引出阳极A，N型半导体引出阴极K 。