LED半导体中半导体的禁带宽度Eg(eV)与其发光波长λ(nm)之间有什么关系？
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LED半导体中半导体的禁带宽度Eg(eV)与其发光波长λ(nm)之间有什么关系？
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发光半导体材料的禁带宽度与发光强度有关。
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导体其实就是禁带宽度比较小的半导体。
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LED的发光波长是由形成P-N结的半导体材料决定的，请问首先被制造出来的是什么样的LED（）。
A.红光LED B.绿光LED C.蓝光LED D.黄光LED
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通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
答案
通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大（）
A.正确 B.错误
答案
LED是半导体PN结发光器件，试述其发光机理。
答案
根据半导体材料的禁带宽度可算出相应的本征吸收长波限。如硅材料的禁带宽度为1.12eV，则吸收波长限等（)于，GaAs的禁带宽度为1.43eV，则吸收波长限等于（)。
答案
LED的芯片由P型半导体和N型半导体组成（）
A.正确 B.错误
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异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的（）
A.正确 B.错误
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