单选题

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有()、集电结空间电荷限制的效应、()

A. 基区电导调制效应,发射区有偏压效应
B. 基区有偏压效应,发射区电导调制效应
C. 基区电导调制效应,基区有偏压效应
D. 发射区有偏压效应,基区有偏压效应

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单选题
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有()、集电结空间电荷限制的效应、()
A.基区电导调制效应,发射区有偏压效应 B.基区有偏压效应,发射区电导调制效应 C.基区电导调制效应,基区有偏压效应 D.发射区有偏压效应,基区有偏压效应
答案
单选题
晶体管的电流放大系数是()
A.工作在饱和区时的电流放大系数 B.工作在放大区的电流放大系数 C.工作在截止区的电流放大系数 D.工作在放大区的电压放大系数
答案
单选题
温度升高时,晶体管的电流放大系数β()
A.升高 B.降低 C.不变 D.无法确定
答案
单选题
晶体管的电流放大系数β是指()
A.工作在饱和区时的电流放大系数 B.工作在放大区时的电流放大系数 C.工作在截止区时的电流放大系数
答案
判断题
晶体管的电流放大系数越大越好。
答案
判断题
晶体管的电流放大系数是越大越好。
答案
主观题
晶体管电流放大系数β反映了放大电路中____极电流对____极电流的控制能力。
答案
单选题
晶体管的特征频率为电流放大系数值因频率升高而下降至()时的频率。
A.10 B.1 C.3 D.5
答案
主观题
温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。
答案
主观题
温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()
答案
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