对CMOS电路特点表述错误的是（）
A. 有自锁效应，影像电路正常工作
B. 与NMOS电路相比，集成度高
C. 在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好
D. 速度快，门延迟时间达纳秒级
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对CMOS电路特点表述错误的是（）
A.有自锁效应，影像电路正常工作 B.与NMOS电路相比，集成度高 C.在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好 D.速度快，门延迟时间达纳秒级
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下列对CMOS电路特点描述正确的是（）
A.静态功耗较高，每门功耗为纳瓦级 B.逻辑摆幅大，近似等于电源电压 C.抗干扰能力强 D.速度快，门延迟时间达纳秒级
答案
对于CMOS门电路，以下说法错误的是（? ? ）。
答案
下列对CMOS电路描述正确的是（）
A.CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路 B.CMOS电路由半绝缘场效应晶体管组成 C.CMOS是一种单级型晶体管集成电路 D.CMOS基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管
答案
CMOS集成电路与TTL集成电路相比较，它的特点是（）
A.输入电流小，低电平输入电流和高电平输入电流一样 B.高电平输入电流略大于低电平输入电流 C.电源电压范围较宽 D.对电源要求较为严格 E.功耗很低
答案
对散剂特点的错误表述是对散剂特点的错误表述是（）
A.比表面积大、易分散、奏效快 B.便于小儿服用 C.制备简单、剂量易控制 D.外用覆盖面大，但不具保护、收敛作用 E.贮存、运输、携带方便
答案
CMOS电路是指（）
A.场效应管晶体管组成的电路 B.P和N型场效应管互补组成的电路 C.P型场效应管组成的电路 D.N型场效应管组成的电路
答案
对层流净化特点的错误表述是对层流净化特点的错误表述是（）
A.可避免不同药物粉末交叉污染 B.空调净化优于层流净化 C.外界空气经过净化，无尘埃粒子带入室内 D.新脱落的粒子可按层流方向调节室内湿度 E.既可调节室内温度又可调节室内湿度
答案
TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端空脚处理是（）
A.全部接地 B.CMOS允许悬空 C.TTL允许悬空 D.CMOS不允许悬空 E.TTL不允许悬空
答案
若CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）。
A.电平移动器 B.缓冲器 C.放大器 D.比较器
答案
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下列关于集成电路特点的表述，错误的是（）
下列关于集成电路特点的表述，错误的是（ ）。
TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是（）
如下CMOS电路能正常工作的电路是()。
CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比，以下哪些是CMOS电路的优点（）
CMOS电路具有（）优势.
CMOS电路具有（）优势
CMOS门电路芯片（）
CMOS集成电路是MOS集成电路的简称
与CMOS电路相比，TTL电路的能耗（）。
对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（ ）
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对散剂特点的错误表述是
对散剂特点的错误表述是（）
对散剂特点的错误表述是
CMOS的特点是（）
由（）组成的集成电路简称CMOS电路。
与CMOS电路相比，TTL电路的能耗较大
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