单选题

关于突触后电位的特征,下列哪些是错误的()

A. 电位大小随刺激的强度改变
B. 有时间总和
C. 有空间总和
D. 是“全或无”的
E. 以电紧张方式扩布

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单选题
关于突触后电位的特征,下列哪些是错误的()
A.电位大小随刺激的强度改变 B.有时间总和 C.有空间总和 D.是“全或无”的 E.以电紧张方式扩布
答案
单选题
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的
A.电位大小随刺激的强度改变 B.有时间总和 C.有空间总和 D.是“全或无”的 E.以电紧张方式扩布
答案
单选题
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的
答案
主观题
关于突触后电位的特征,错误的是
答案
单选题
关于突触后电位的特征,错误的叙述是()。
A.电位大小随刺激的强度改变 B.有时间总和 C.有空间总和 D.是“全或无”的 E.以电紧张方式扩布
答案
单选题
关于突触后电位的特征,错误的叙述是()
答案
单选题
关于突触后电位的特征,错误的叙述是
A.电位大小随刺激的强度改变 B.有空间总和 C.是"全或无"的 D.以电紧张方式扩布 E.有时间总和
答案
单选题
下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征()。
A.突触前膜均去极化 B.突触后膜均去极化 C.突触前膜释放的递质性质一样 D.突触后膜对离子通透性一样
答案
单选题
关于抑制性突触后电位(IPSP),下列叙述错误的是()。
A.CI-通道开放可降低IPSP B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D.IPSP使神经元的兴奋性增加 E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
答案
单选题
兴奋性突触后电位发生时,突触后膜膜电位的特征是
A.超极化 B.去极化 C.反极化 D.复极化 E.超射
答案
热门试题
下列关于兴奋性突触后电位的表述错误的是 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是()。 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位的共同特征是() 下列哪点为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征? 试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。 兴奋性突触后位制性突触后电位的共同特征是() 突触前抑制的轴-体突触处,突触后电位变化特征为: 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 以下是关于突触后电位的描述,其中错误的一项是() 下列关于抑制性突触后电位的叙述() 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()。 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是() 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是() 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()   突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位() 抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?()
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