硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→Si逐级进行的。

硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降（） 高炉内影响硅还原的因素有哪些？ 高炉内影响硅还原的因素有哪些 根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度。 根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度。 根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度（） 硅铁的含量越高，SiO2开始还原（）亦越高，亦即还原越困难。 硅还原量与和SiO2的活度成正比 硅灰的SiO2含量应大于（）% 高炉内铁氧化物的还原顺序是（） 高炉内还原1kg硅所耗热量是还原1kgFe铁的（）倍。 在使用（）埚衬情况下（例如石英砂埚衬）,由于在高温下石英砂中的SiO2会还原生成Si进入钢内,因此一般不需要另加硅铁增硅 下面哪些说法是正确的（）⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 硅的还原是按（）→（）→（）的顺序逐级进行的。 高炉内铁氧化物的还原与（）为界，还原顺序不同。 Si在高炉的哪个区域被大量还原（） 从Si的还原机理来看，高炉风口水平面以上是降Si过程。 硅铁冶炼中钢屑作为调节剂，同时也利于SiO2还原，这是为什么？ 铁水中的硅是在高炉中被还原出来的（） 高炉内SiO来源于（），其中（）是气态SiO的主要来源。