当反向电压大于反向击穿电压时，二极管发生反向击穿

二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（） 二极管的最高反向工作电压一般取其反向击穿电压的（）。 晶体二极管的最高反向工作电压是取反向击穿电压的（）。 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压（） 某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。 二极管反向工作峰值电压，一般是反向击穿电压的1/3（） 某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（） 硅材料稳压二极管的反向击穿电压为（） 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为()。 当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，该反向电压值被称为反向击穿电压，此现象被叫做反向击穿现象（） 当反向电压小于击穿电压时二极管处于[[截止]]状态 当反向偏置电压增至VD的击穿电压时,电流基本不变,二极管PN结被反向击穿 当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，该反向电压值被称为反向击穿电压，此现象被叫做反向击穿规象（） 晶体二极管主要参数有：最大整流电流；反向击穿电压；最高反向工作电压（峰值）；反向峰值电流（） 普通二极管的反向击穿电压一般在()V以上。 一个硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为（）。 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为。[难]（） 当反向电压小于击穿电压是二极管处于（）状态