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在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区A.正确B.错误()

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判断题
在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。
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判断题
在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区A.正确B.错误()
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单选题
在错P结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区()
A.正确 B.错误
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主观题
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的: 多数载流子浓度减小;多数载流子浓度降低|多数载流子浓度增大;多数载流子浓度增加|少数载流子浓度减小;少数载流子浓度降低|少数载流子浓度增大;少数载流子浓度增加
答案
判断题
PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。
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主观题
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。
答案
主观题
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()
答案
主观题
N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______
答案
主观题
在N型半导体中()是多数载流子,()是少数载流子。
答案
主观题
在N型半导体中()是多数载流子,()是少数载流子
答案
热门试题
与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大 在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。 N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。 P型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子() N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子() 少数载流子在电场力作用下的运动,称漂移运动() 在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。() N型半导体以()导电为主,也称为()型半导体,其中()为多数载流子,()为少数载流子; P型半导体以()导电为主,也称为( )型半导体,其中()为多数载流子,()为少数载流子。 杂质半导体中多数载流子浓度取决于(),少数载流子浓度取于() PN结是多数载流子的运动而形成的() 多数载流子由于浓度差而引起的运动,称扩散运动() 在P型半导体中,()是多数载流子;在N型半导体中,少数载流子是()。 P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子() N 型半导体又称____型半导体,其中的多数载流子是____,少数载流子是____,还有不能移动的____ 在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,故N型半导体带负电() LED即我们所说的发光二极管,在PN结注入载流子,少数载流子与多数载流子复合后,释放出能量,表现以()的形式,从而实现电致发光。 在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。 在N型半导体中,多数载流子是 ,在P型半导体中,多数载流子是 。 P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素,它的多数载流子是(),少数载流子是()。
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