与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大

N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子（） 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（） 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与有很大关系（） N型半导体以（）导电为主，也称为（）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子； P型半导体以（）导电为主，也称为（ ）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子。 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 N 型半导体又称____型半导体,其中的多数载流子是____,少数载流子是____,还有不能移动的____ P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子（） 在错P结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区（） 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，故N型半导体带负电（） 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____ 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 在N型半导体中，多数载流子是 ，在P型半导体中，多数载流子是 。 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。 P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素，它的多数载流子是（），少数载流子是（）。 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加（） N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区A.正确B.错误（） 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于