西林电桥测试tan6时升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器（）

用西林电桥测试tan6时消除表面泄漏电流的接线方法是利用将表面泄漏电流直接回流到试验电源（B屏蔽环）（） 用西林电桥测试tan6时消除表面泄漏电流的接线方法是利用（B屏蔽环）将表面泄漏电流直接回流到试验电源（） tan6测试时，随着试验电压U的变化，tan6值呈闭合的环状曲线，则试品属于（B绝缘中存在气隙）（） 对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低（） 采用QS1电桥测量tan6正接线比反接线准确度低（） 对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变（） 使用QS1西林电桥进行介质损耗因数测量时，对任何电压等级的电气设备，试验电压一般取10kV。 对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（C基本不变）（） 一般认为，电力变压器绕组tan6测试时的温度以10-40℃为宜（） QS1电桥（西林电桥）包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（） 西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 介质损耗角正切值tan6对局部集中缺陷不太灵敏时，一般将设备进行分解试验（） 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量（） 对于额定电压为35kV及以上的设备，测试tanδ时一般升压至10kV。 对于额定电压为35kV及以上的设备，测试tanδ时一般升压至10kV（） 当试品绝缘受潮时随着试验电压U的变化，tan6值呈开口环曲线（） 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。 实验室内的测试材料及小设备 ，西林电桥一般用 （ )。