当输入1信号，使其经R1流入基极的电流，则BG管，发射结、集电结均正偏，BG管压降Uce＝0，输出为0信号，BG管此时相当于开关接通，其内阻很小，这种情况就是有1出0

两电阻R1和R2并联后接在电路中,R1∶R2=1∶3,若R1中电流为0.6A,则R2中电流为A 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic ，发射结压降 。_ 某晶体管的发射极电流等于1 mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（） 某晶体管的发射极电流等于1 mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（） 当输入电压为正弦信号时，若PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极ib波形将（） 当晶体三极管的发射结 （ ） ，集电结 （ ） 时，工作在放大区；发射结 （ ） ，集电结 （ ） 时，工作在饱和区。 当发射结和集电结都反偏时,则半导体三极管处于 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 状态 TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏。 TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流增大而增大，集电极和发射极之间的电压很小、相当于开关的导通状态，我们称此时的三极管处于导通状态（） 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流与基极电流的比值称为共发射极放大系数 对于NPN型晶体管共发射电路，当增大发射结偏置电压UBE时，其输入电阻也随之增大（） 某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于mA（） 当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将 _______ 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增大，发射结压降减小 在电路中R1和R2并联，R1=2Ω，R4=4Ω，则它们电流比I1： I2=（） 两电阻R1和R2并联，要使通过R1的电流为干路中电流的三分之一，则电阻R2的大小应为R1的（） 某晶体管的发射极电流是1mA, 基极电流是20uA, 则它的集电极电流是 两个电阻R1、R2串联，其中Rl=1Ω，几=2Ω，通过R1的电流为lA，则电阻R1、R2消耗的总功率为（）