基极电阻Rb使发射结处于正偏,并提供大小适当的基极电流

当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 基极偏置电阻Rb/的大小决定了静态工作点的高低。（） 基极偏置电阻Rb/的大小决定了静态工作点的高低（） 发射结处于正偏的BJT，它一定工作在放大区。() 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于 三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态（） 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态 三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（ ）。 晶体管具有三个电极，即：集电极、发射极和基极，两个PN结，即：集电结和发射结（） 基极偏置电阻Rb的大小决定了静态工作点高低，Rb的数值调得过大，则造成（）。 为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 三极管当发射结和集电结都正偏时工作处于（ ）状态_ 满足发射结正偏、集电极反偏的外部条件下 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 三极管处于饱和状态时，其集电结和发射结都处正偏（）