开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数

场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。() 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） 中国大学MOOC: 场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。【图片】 所谓增强型场效应管是指当uGS=0时有导电沟道 场效应管按性能分为耗尽型和（） 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件 增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。() 增强型MOS管具有开启电压（） 增强型PMOS管的开启电压（） 中国大学MOOC: UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ )。（填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET） N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（） 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流（） 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。（ ） 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小 场效应管是一种场控型（）器件。 P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________